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バタフライカーブ試験(メガネ特性)


今回は6ポジショナを持つdProberを使用したバタフライカーブ試験(メガネ特性)についてご説明します。

2008年11月

 

バタフライカーブ試験(メガネ特性試験)は6トランジスタSRAMデバイスの安定性や電圧依存特性などを解析するための評価テクニックです。この試験はRAMのデータ保持特性を知る上で有効な試験で、デバイスの特性上、6本のプローブを用いてコンタクトをする必要性があるため、6本以上のプローブを扱うことのできるナノプロービングシステムである、dProber, nProber相当のものが必要となる。
 

この試験は6本のプローブを使ってバタフライカーブを得ることで行われる。下図はインバータ2の電圧転送カーブ(VTC)と反転させたインバータ1の電圧転送カーブを同じグラフ上に示すことにより得られる。また、Vddの電圧値を1Vで固定した時のリードとホールドのSNM(スタティックノイズマージン)の値が正方形で示されている。

   
   

電圧転送カーブをVddに加える電圧を下げながら測定した際、そこから得られるSNM値によって、検査されているビットの電圧依存特性とデータ保持能力が分かる。



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