タイトル画像

ナノレベルケルビンプロービング


今回は6ポジショナを持つdProberを使用したナノレベルでのケルビンプロービングに関してご紹介します。

2008年9月

 

通常、トランジスタのソース・ドレイン間の電気特性を測定する際、右図のようにコンタクトを行って測定を行います。しかし、測定プローブの接触抵抗等の影響で、本来の電気特性とは違った結果になることがあります。
   

65nmトランジスタへプロービング

そこで、測定プローブの接触抵抗等の測定系の寄生抵抗の影響を排除するために、ケルビンプロービングという手法のプロービングを行うことがあります。
これは、左図のように電流印加端子と電圧測定端子とを分離することによって正確に電圧が何ボルトに達しているかを見る手法です。


 

   

従来の4プローブシステムではできなかったこのこのケルビンプロービング手法を、6つのポジショナをもつdProberでは行うことが可能になり、より正確な測定が可能となりました。



お問い合わせ・資料請求フォーム
 
・会社名
・部署名
・担当者名
・電話番号
・E-mail
・住所  
・問合せ内容
 

 

Mainページに戻ります